近日，中科大科学家利用同步辐射软X射线吸收谱学技术，在研究二维超薄二硫化钼半导体磁性材料的结构、形貌和性能调控中取得重要进展。成果发表在化学顶级刊物《美国化学会志》上。审稿人认为，“寻找室温磁性材料一直是一个亟需解决并面临重大挑战的问题。毫无疑问，这个研究在该方向取得了显著进展，获得了非常有趣的研究结果”。